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NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description The4606usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside switch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=30V,ID=6.9A RDS(ON)

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

HighQ,highself-resonantfrequency

SpecialFeatures •HighQ,highself-resonant frequency •Highvoltageapplication •Singlelayeror3-piuniversal wound •Lowcost •Varnishcoated •Operatingtemperature: phenolic-55to+125°C iron&ferrite-55to+105°C •Currenttocause35°Cmaximum temperaturerise

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

TUBEAXIAL

EBMPAPST

ebm-papst

EBMPAPST

Binaryreductionvalve

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FESTOFesto Corporation.

费斯托公司德国FESTO费斯托(中国)有限公司

FESTO

N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET

文件:1.22669 Mbytes Page:14 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-5-12 23:00:01
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