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BFG325	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BFG325/XR	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BFG325W	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BFG325W	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features Highpowergain Lownoisefigure Hightransitionfrequency Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications IntendedforRadioFrequency(RF)fro	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
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BFG325W-XR	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BFG325W-XR-1	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BFG325-XR	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BFG325/XR,215	封装/外壳：SOT-143R 包装：卷带（TR）描述：RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BFG325_15	NPN14GHzwidebandtransistor 文件：86.45 Kbytes Page：12 Pages	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
BFG325_2015	NPN14GHzwidebandtransistor 文件：86.45 Kbytes Page：12 Pages	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
BFG325W/XR,115	封装/外壳：SC-82A，SOT-343 包装：卷带（TR）描述：RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BFG325W_15	NPN14GHzwidebandtransistor 文件：93.48 Kbytes Page：12 Pages	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
BFG325W_2015	NPN14GHzwidebandtransistor 文件：93.48 Kbytes Page：12 Pages	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
325	HighTemperatureandUltra-LowESR 文件：1.12374 Mbytes Page：5 Pages	CDE Cornell Dubilier Electronics
325	Backlight33/4digitsLCDwithmax.reading3999,plusdecimalpoint,unit 文件：72.18 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
325	AxialLeadandCartridgeFuses-CeramicBody 文件：43.96 Kbytes Page：1 Pages	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
325	Long-Life,SwitchingPowerGradeRadialHighTemperatureandUltra-LowESR 文件：331.3 Kbytes Page：4 Pages	CDE Cornell Dubilier Electronics
325	CeleronDProcessor 文件：1.75778 Mbytes Page：82 Pages	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）

BFG325产品属性

类型
描述
型号
BFG325
制造商
PHILIPS
制造商全称
NXP Semiconductors
功能描述
NPN 14 GHz wideband transistor

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更新时间：2024-5-29 14:18:00

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