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BFG25晶体管资料

  • BFG25(A,X)别名：BFG25(A,X)三极管、BFG25(A,X)晶体管、BFG25(A,X)晶体三极管

  • BFG25(A,X)生产厂家：荷兰飞利浦公司

  • BFG25(A,X)制作材料：Si-PNP

  • BFG25(A,X)性质：表面帖装型 （SMD）_超高频/特高频 （UHF）_宽频带

  • BFG25(A,X)封装形式：贴片封装

  • BFG25(A,X)极限工作电压：8V

  • BFG25(A,X)最大电流允许值：0.0065A

  • BFG25(A,X)最大工作频率：5GHZ

  • BFG25(A,X)引脚数：3

  • BFG25(A,X)最大耗散功率：

  • BFG25(A,X)放大倍数：

  • BFG25(A,X)图片代号：H-17

  • BFG25(A,X)vtest：8

  • BFG25(A,X)htest：5000000000

  • BFG25(A,X)atest：.0065

  • BFG25(A,X)wtest：0

  • BFG25(A,X)代换 BFG25(A,X)用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BFG25A

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25A

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25A/X

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25A/X

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25A/X

NPN 5 GHz wideband transistor

FEATURES ·Lowcurrentconsumption (100mAto1mA) ·Lownoisefigure ·Goldmetallizationensures excellentreliability. APPLICATIONS ·RFlowpoweramplifiers,suchas pockettelephones,paging systems,withsignalfrequencies upto2GHz. DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransi

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25A_V01

NPN 5 GHz wideband transistor

FEATURES ·Lowcurrentconsumption (100mAto1mA) ·Lownoisefigure ·Goldmetallizationensures excellentreliability. APPLICATIONS ·RFlowpoweramplifiers,suchas pockettelephones,paging systems,withsignalfrequencies upto2GHz. DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransi

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25AW

NPN 5 GHz wideband transistors

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS WidebandapplicationsinUHFlowpoweramplifiers,

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25AW

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25AW/X

NPN 5 GHz wideband transistors

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS WidebandapplicationsinUHFlowpoweramplifiers,

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25AW-X

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25AX

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25A-X

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25X

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25A/X,215

封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25AW/X,115

封装/外壳：SOT-343 反向插针 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25AX_15

NPN 5 GHz wideband transistor

文件：105.18 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
BFG25AX_2015

NPN 5 GHz wideband transistor

文件：105.18 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC

BFG25产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BFG25

  • 制造商

    PHILIPS

  • 制造商全称

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    NPN 5 GHz wideband transistor

BFG25供应商更多...

更新时间：2024-6-3 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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BFG25A/X
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
BFG25A
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BFG25AX
PHILIPS/飞利浦
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BFG25AW/X
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深圳市博浩通科技有限公司
BFG25AW/X
NXP
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SOT343
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