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BFG2晶体管资料

  • BFG23别名：BFG23三极管、BFG23晶体管、BFG23晶体三极管

  • BFG23生产厂家：英国Mullard有限公司

  • BFG23制作材料：Si-PNP

  • BFG23性质：甚高频 （VHF）_超高频/特高频 （UHF）_宽频带放大

  • BFG23封装形式：贴片封装

  • BFG23极限工作电压：15V

  • BFG23最大电流允许值：0.035A

  • BFG23最大工作频率：5GHZ

  • BFG23引脚数：4

  • BFG23最大耗散功率：

  • BFG23放大倍数：

  • BFG23图片代号：G-129

  • BFG23vtest：15

  • BFG23htest：5000000000

  • BFG23atest：.035

  • BFG23wtest：0

  • BFG23代换 BFG23用什么型号代替：BFQ75,BFQ76,

BFG2价格

参考价格：￥2.3115

型号：BFG21W,115 品牌：NXP 备注：这里有BFG2多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BFG2批发/采购报价，BFG2行情走势销售排行榜，BFG2报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BFG21W

UHF power transistor

DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconbipolarpowertransistorwithburiedlayerforlowvoltagemediumpowerapplicationsencapsulatedinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES •Highpowergain •Highefficiency •1.9GHzoperatingarea •Linearandnon-linearoperation. APP

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG21W

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG235

NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications)

NPNSiliconRFTransistor •Forlow-distortionbroadbandoutputamplifier stagesinantennaandtelecommunications systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 120mAto250mA •PoweramplifiersforDECTandPCNsystems •Integratedemitterballastresistor •fT=5.5GHz

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BFG235

NPN Silicon RF Transistor

NPNSiliconRFTransistor ●Forlow-distortionbroadbandoutputamplifier stagesinantennaandtelecommunication systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 120mAto250mA ●PoweramplifiersforDECTandPCNsystems ●Integratedemitterballastresistor ●fT=5.5GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BFG25A

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25A

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25A/X

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25A/X

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25A/X

NPN 5 GHz wideband transistor

FEATURES ·Lowcurrentconsumption (100mAto1mA) ·Lownoisefigure ·Goldmetallizationensures excellentreliability. APPLICATIONS ·RFlowpoweramplifiers,suchas pockettelephones,paging systems,withsignalfrequencies upto2GHz. DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransi

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25A_V01

NPN 5 GHz wideband transistor

FEATURES ·Lowcurrentconsumption (100mAto1mA) ·Lownoisefigure ·Goldmetallizationensures excellentreliability. APPLICATIONS ·RFlowpoweramplifiers,suchas pockettelephones,paging systems,withsignalfrequencies upto2GHz. DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransi

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25AW

NPN 5 GHz wideband transistors

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS WidebandapplicationsinUHFlowpoweramplifiers,

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25AW

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25AW/X

NPN 5 GHz wideband transistors

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS WidebandapplicationsinUHFlowpoweramplifiers,

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25AW-X

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25AX

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG25A-X

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25X

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconwidebandtransistorinafour-leaddualemitterSOT143Bplasticpackage(crossemitter). FEATURES •Lowcurrentconsumption(100µAto1mA) •Lownoisefigure •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •RFlowpoweramplifiers,suchaspocket

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG21W_15

UHF power transistor

文件：234.47 Kbytes Page：11 Pages

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BFG21W_15

UHF power transistor

文件：94.72 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
BFG21W_2015

UHF power transistor

文件：94.72 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
BFG235

NPN Silicon RF Transistor

文件：63.72 Kbytes Page：6 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BFG235_07

NPN Silicon RF Transistor

文件：63.72 Kbytes Page：6 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BFG25A/X,215

封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25AW/X,115

封装/外壳：SOT-343 反向插针 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BFG25AX_15

NPN 5 GHz wideband transistor

文件：105.18 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
BFG25AX_2015

NPN 5 GHz wideband transistor

文件：105.18 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC

BFG2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BFG2

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    BFG21W UHF power transistor

BFG2供应商更多...

更新时间：2024-6-3 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
BFG21W
NXP
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SOT-343
80000
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BFG21W
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BFG21W
NXP/恩智浦
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BFG21W
NXP/恩智浦
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BFG21W
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深圳市科恒伟业电子有限公司
BFG21W
PHILIPS
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SOT-343
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深圳市维尔达电子有限公司
BFG21W
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BFG21W
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BFG21W
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深圳市博浩通科技有限公司
BFG21W
NXP
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SOT343
11000
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