BDX86B晶体管资料

  • BDX86B别名:BDX86B三极管、BDX86B晶体管、BDX86B晶体三极管

  • BDX86B生产厂家:德国电子元件股份公司

  • BDX86B制作材料:Si-P+Darl+Di

  • BDX86B性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • BDX86B封装形式:直插封装

  • BDX86B极限工作电压:80V

  • BDX86B最大电流允许值:10A

  • BDX86B最大工作频率:10MHZ

  • BDX86B引脚数:2

  • BDX86B最大耗散功率:100W

  • BDX86B放大倍数:β>1000

  • BDX86B图片代号:E-44

  • BDX86Bvtest:80

  • BDX86Bhtest:10000000

  • BDX86Batest:10

  • BDX86Bwtest:100

  • BDX86B代换 BDX86B用什么型号代替:BDX64A,BDX84B,BDX88B,MJ2501,TIP146,2N6051,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BDX86B

Power Transistors

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6674,2N6675typesareNPNSiliconTripleDiffusedMesaPowerTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
BDX86B

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=750(Min)@IC=-3A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-45V(Min)-BDX86;-60V(Min)-BDX86A-80V(Min)-BDX86B;-100V(Min)-BDX86C •ComplementtoTypeBDX85/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseinpowerlinearandswitchingapplicati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BDX86B

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=750(Min)@IC=-3A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-45V(Min)-BDX86;-60V(Min)-BDX86A-80V(Min)-BDX86B;-100V(Min)-BDX86C •ComplementtoTypeBDX85/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseinpowerlinearandswitchingapplicati

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BDX86B

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3

文件:15.51 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

BDX86B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDX86B

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

更新时间:2024-5-31 13:02:00
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CHINA
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CENTRAL
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