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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
80 V, 1 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 |  |   | |
80 V, 1 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | | | |
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | | | |
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：散装 描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | | |
BCP56_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
BCP56_Q
- 功能描述
两极晶体管 - BJT SOT-223 NPN GP AMP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
SOT-223 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
Nexperia |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
|||
PHILIPS |
23+ |
SOT-23 |
12300 |
||||
ON |
23+ |
SOT23 |
10000 |
原装正品，支持实单 |
|||
ON |
23+ |
SOT23 |
7188 |
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
|||
ON |
2022+ |
SOT23 |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
|||
ON |
21+ |
SOT23 |
8800 |
公司只做原装正品 |
|||
NXP/NEXPERIA |
21+ |
SOT223 |
10000 |
||||
ON |
21+ |
SOT23 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
NEXPERIA/安世 |
2022 |
SOT-223 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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- bq5
- biss0001
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- bf419
- BDM
- BCP70
- BCP69T1
- BCP69L3
- BCP69-C
- BCP69
- BCP68T1
- BCP68T
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- BCP5610TA
- BCP56-10T1G/H
- BCP56-10T1G
- BCP56-10T1
- BCP5610H6433XT
- BCP5610H6327XT
- BCP5610E6433XT
- BCP5610E6327XT
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- BCP56,115
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2019-2-28
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