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BC857S价格

参考价格：￥0.4584

型号：BC857S 品牌：Fairchild 备注：这里有BC857S多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BC857S批发/采购报价，BC857S行情走势销售排行榜，BC857S报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
BC857S	PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) PNPSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENS Siemens Ltd
BC857S	PNPSiliconAFTransistorArray PNPSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistorwithgoodmatchinginonepackage •BC856S/U,BC857S:Fororientationinreelseepackageinformation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC857S	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC857S	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess68.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC857S	Multi-ChipTransistor Features PowerdissipationPCM:0.3W(Tamp.=25°C) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-50V Operating&StoragejunctionTemperatureTj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
BC857S	PNPPlastic-EncapsulateTransistors300mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Multi-chipTransistor •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityL	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
BC857S	Multi-ChipTRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:300mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-200mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-50V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
BC857S	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailableBC847S. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●ForLowpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
BC857S	PNPTransistors ■Features ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●ForAFinputstagesanddriverapplications	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BC857S	Powerdissipation,plasticcase,Weightapprox SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司
BC857S	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●Twotransistorsinonepackage ●Reducesnumberofcomponentsandboardspace ●Nomutualinterferencebetweenthetransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
BC857S	SMDGeneralPurposePNPTransistors 文件：180.47 Kbytes Page：2 Pages	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC857S	PNPSiliconAFTransistorArrays 文件：854.75 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC857S	SMDGeneralPurposePNPTransistors 文件：179.68 Kbytes Page：2 Pages	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC857S	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors 文件：108.83 Kbytes Page：2 Pages	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC857S	PNPSiliconAFTransistorArrays 文件：849.35 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC857S_15	PNPTransistors 文件：1.35172 Mbytes Page：3 Pages	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BC857S_15	PNPSilicon 文件：851.49 Kbytes Page：2 Pages	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
BC857S-Q	SMDGeneralPurposePNPTransistors 文件：180.47 Kbytes Page：2 Pages	DiotecDIOTEC 德欧泰克
857-SERIES	857SeriesHighTempCardEdgeConnector\|Black\|0.156(3.96mm)Pitch\|0.200(5.08mm)RowSpacing\|LowProfileInsulator Features 0.156(3.96mm)ContactSpacingby0.200(5.08mm)RowSpacing Accepts.062(1.57mm)NominalThicknessP.C.Board LowProfileInsulatorBody,0.473(12.01mm) ContactTerminationOptionsincludeP.C.Tail,WireHole,WireWrap,90andExtenderBoardBends SingleorDualRowConfiguratio	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司
AC857BQ	PNPSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT23 文件：433.82 Kbytes Page：7 Pages	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AC857BSQ	45VDUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR 文件：316.02 Kbytes Page：5 Pages	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AC857CWQ	45VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR 文件：337.98 Kbytes Page：5 Pages	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AN857	SINGLE-CELLREGULATEDQ-PUMPDRAWSLOWQUIESCENTCURRENT 文件：1.0244 Mbytes Page：6 Pages	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司

BC857S产品属性

类型
描述
型号
BC857S
功能描述
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
VCBO
集电极—发射极最大电压
VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO
- 6 V
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
Min
100 A
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2

BC857S供应商更多...

更新时间：2024-5-1 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BC857SH6827	Infineon(英飞凌)	23+	SOT-323-6	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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