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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH

DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

文件:973.56 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channelpowerMOSfieldeffecttube

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FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.

富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

ThermallyConductiveAdhesiveTransferTapes

文件:175.98 Kbytes Page:7 Pages

3M

3M Electronics

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更新时间:2024-9-20 23:00:01
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