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25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=9mΩ •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

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更新时间:2024-4-30 10:28:01
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VBsemi
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