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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰广东合科泰实业有限公司

HOTTECH

DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channelpowerMOSfieldeffecttube

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FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.

富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

ThermallyConductiveAdhesiveTransferTapes

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3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M
更新时间:2024-4-30 18:55:01
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  • AT86RF212B-ZU

    AT86RF212B-ZU

    2022-8-24
  • AT88SC0104CA-SH

    www.hfxcom.com

    2022-2-21
  • AT88SC0104C-MJTG(原厂授权中国分销商)

    主要参数: 集成电路(IC) 类型:安全存储器 应用:嵌入式,智能卡 安装类型:表面贴装型 封装:M2J,智能卡模块(TWI)

    2020-3-10
  • AT88SC0104CA-SH(原厂授权中国分销商)

    主要参数: 集成电路(IC) 类型:安全存储器 应用:嵌入式,智能卡 安装类型:表面贴装型 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm宽)

    2020-3-9
  • AT84CS001VTP

    XCZU19EG-L2FFVD1760E XCZU19EG-L1FFVC1760I XCZU19EG-L1FFVD1760I XCZU19EG-L2FFVC1760E XCZU19EG-2FFVD1760I XC7K325T-1FFG676I XC7K325T-1FFG676C XC7K325T-2FFG676C XC7K325T-2FFG676I XC7K325T-3FFG676C XC7K325T-3FFG676I XC7K325T-2FBG676I XC7K325T-2FBG676C XC7K325T-1FBG676C XC7K325T-1FBG676I

    2019-11-30
  • AT73C202-手机电源管理

    特点•300mA/1.8V/2.5V基频电源开关稳压器•2.8V/80mALDO的电源为基带垫•两个130mA/2.8V低噪声,高PSRR,射频LDO稳压器•130mA/2.7V/2.8V基带低噪声,高PSRRLDO稳压器的模拟•超低功耗RTC的LDO稳压器•备份电池充电器•锂离子或锂聚合物电池充电器控制器•蜂鸣器和振动器驱动程序•充电LED

    2013-2-16