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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresGate–EmitterESDprotection,Gate–CollectorovervoltageprotectionfromSMARTDISCRETESmonolithiccircuitryforusageasanIgnitionCoilDriver. •TemperatureCompensatedGate–C | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 |  |   | |
400V,23AN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：201.28 Kbytes Page：6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
20A竊?00VN-CHANNELMOSFET 文件：445.83 Kbytes Page：7 Pages | KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 |  | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：192.68 Kbytes Page：5 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
400V,20AN-ChannelMOSFET 文件：337.01 Kbytes Page：6 Pages | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DLZ |
22+ |
TO263 |
354000 |
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VISHAY原装 |
22+23+ |
TO-247 |
24398 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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BR |
TO-3P |
608900 |
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FUJI |
08+ |
TO220F |
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UTC |
2020+ |
TO-3P |
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N/A |
23+ |
TO263 |
1778 |
专业优势供应 |
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ST犁头 |
02+ |
TO3P |
5200 |
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PIO |
1535+ |
4000 |
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VISHAY原 |
23+ |
TO-247 |
19567 |
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UTC |
23/22+ |
TO247 |
6000 |
20年老代理.原厂技术支持 |
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2020-3-28
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