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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
APT5022AVR	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology
ADP5022	Dual3MHz,600mABuckRegulatorwith150mALDO GENERALDESCRIPTION TheADP5022isamicropowermanagementunit(microPMU)thatcombinestwohighperformancebuckregulatorsandalowdropoutregulator(LDO)inatiny16-ball2.08mm×2.08mmWLCSPtomeetdemandingperformanceandboardspacerequirements. FEATURES Inputvoltagerang	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADRF5022	SiliconSPDTSwitch,Nonreflective,100MHzto45GHz GENERALDESCRIPTION TheADRF5022isanonreflective,single-poledouble-throw(SPDT) switchmanufacturedinthesiliconprocess. TheADRF5022operatesfrom100MHzto45GHzwithatypical insertionlossof2.3dBandisolationof43dB.Thedevicehasan RFinput-powerhandlingcapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
5022R	SurfaceMountableInductors 文件：1.19522 Mbytes Page：1 Pages	API API Delevan Inc.
ACE5022AE	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：725.41 Kbytes Page：7 Pages	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE5022AEKG+H	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：725.41 Kbytes Page：7 Pages	ACE ACE Technology Co., LTD.

APT5022AVR供应商更多...

更新时间：2024-4-30 18:26:00

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2021-3-12
APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号APT60GF120JRDQ3 ManufacturerOrOEMMicrosemiCorporation 描述IGBT1200V149A625WSOT227 说明IGBTModuleNPT单路1200V149A625W底座安装ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL）1（无限）最低订购数量1 标准包装1
2020-12-11
APT30DQ60BG 原装优势
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2020-7-20
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2019-3-5