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APT35GP120B2DQ2G价格

参考价格：￥83.1073

型号：APT35GP120B2DQ2G 品牌：Microsemi 备注：这里有APT35GP120B2DQ2G多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，APT35GP120B2DQ2G批发/采购报价，APT35GP120B2DQ2G行情走势销售排行榜，APT35GP120B2DQ2G报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
APT35GP120B2DQ2G	POWERMOS7IGBT 文件：426.35 Kbytes Page：9 Pages	ADPOW Advanced Power Technology
APT35GP120B2DQ2G	PowerSemiconductorsPowerModulesRFPowerMOSFETs 文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT35GP120B2DQ2G	PowerSemiconductorsPowerModules 文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT35GP120B2DQ2G	封装/外壳：TO-247-3 变式包装：管件描述：IGBT 1200V 96A 543W TMAX 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
APT35GP120B2DQ2	POWERMOS7IGBT 文件：426.35 Kbytes Page：9 Pages	ADPOW Advanced Power Technology

APT35GP120B2DQ2G产品属性

类型
描述
型号
APT35GP120B2DQ2G
功能描述
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
POWER MOS 7®
标准包装
30
系列
GenX3™ IGBT
类型
PT 电压 -
集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT35GP120B2DQ2G供应商更多...

更新时间：2024-5-28 19:36:00

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2021-3-12
APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号APT60GF120JRDQ3 ManufacturerOrOEMMicrosemiCorporation 描述IGBT1200V149A625WSOT227 说明IGBTModuleNPT单路1200V149A625W底座安装ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL）1（无限）最低订购数量1 标准包装1
2020-12-11
APT30DQ60BG 原装优势
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-20
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2020-6-29
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2020-2-23
APT8020JFLL
APT8020JFLL，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-5

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