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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
APT3580BN	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
3580	CeramicStand-offInsulatorsforRF-Equipment CeramicStand-offInsulatorsforRF-Equipment MATERIAL: Stand-offinsulatorelementsmadefromClass1Ceramic material(C221-IEC60672-3),bodycompletelyglazed. Connectionterminals:brass OPERATINGCONDITIONS: Maximumoperatingtemperature+100°C Maximumcompressive	VishayVishay Siliconix 威世科技
3580	Triaxial(F)BulkheadReceptacle 文件：24.74 Kbytes Page：1 Pages	POMONA Pomona Electronics
3580	Nytye®MountingPlatforms 文件：231.87 Kbytes Page：1 Pages	Heyco Heyco
3580	HighVoltageOPERATIONALAMPLIFIERS 文件：2.32549 Mbytes Page：6 Pages	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
ABC3580	BulkSimplexFiberOpticCable 文件：214.4 Kbytes Page：1 Pages	GLENAIRGlenair, Inc. 格伦尔

APT3580BN供应商更多...

更新时间：2024-5-28 23:19:00

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2021-3-12
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制造商零件编号APT60GF120JRDQ3 ManufacturerOrOEMMicrosemiCorporation 描述IGBT1200V149A625WSOT227 说明IGBTModuleNPT单路1200V149A625W底座安装ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL）1（无限）最低订购数量1 标准包装1
2020-12-11
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2020-7-20
APT50M60JVR 假一罚十
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2020-6-29
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2020-2-23
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2019-3-5