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位置：首页 > IC中文资料第4282页 > APT30M70BVR

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
APT30M70BVR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitchi

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW
APT30M70BVR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：420.09 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
APT30M70BVR

100AvalancheTested

文件：63.4 Kbytes Page：4 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
APT30M70BVRG

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.07Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
APT30M70BVRG

100AvalancheTested

文件：63.4 Kbytes Page：4 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
APT30M70BVFR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

POWERMOSV®FREDFET PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW
APT30M70BVFR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：420.11 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
APT30M70BVFRG

PowerSemiconductorsPowerModulesRFPowerMOSFETs

文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

APT30M70BVR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT30M70BVR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    POWER MOS V®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

APT30M70BVR供应商更多...

更新时间：2024-5-28 11:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市百视威讯电子科技有限公司
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30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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Microsemi Corporation
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9000
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深圳市兴灿科技有限公司
APT30M70BVR
APT
23+
TO-247
564
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