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位置：首页 > IC中文资料第8591页 > APT1002R4CN

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
APT1002R4CN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
APT1002R4AN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
APT1002R4BN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=6.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
APT1002R4BN

N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS

POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW
HFCD1002R4

IndoorDistributionCableRiser

文件：242.11 Kbytes Page：1 Pages

HUBBELLHUBBELL INCORPORATED

哈伯尔公司

HUBBELL

APT1002R4CN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT1002R4CN

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-254ISO

APT1002R4CN供应商更多...

更新时间：2024-5-1 20:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳诚思涵科技有限公司
APT1002RBN
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