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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP180N04TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=1.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicationand

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplic

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更新时间:2024-6-4 10:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
21+
TO-263-7-3
10000
原装现货假一罚十
NEC
23+
NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
NEC
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公司只做原装正品
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TO-263
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原厂代理 终端免费提供样品
RENESAS/瑞萨
23+
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只做进口原装QQ:373621633
VBSEMI
19+
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Renesas(瑞萨)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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全新原装真实库存含13点增值税票!
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TO-263-7-3
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全新原装正品现货,支持订货
NEC
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