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位置：首页 > IC中文资料第6019页 > AP18

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AP1801GU

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. The2021-8J-leadpackageprovidesgoodon-resistanceperformanceandspacesavinglikeSC-70-6. ▼Capableof2.5Vgat

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A-POWER
AP18N20GH-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowv

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A-POWER
AP18N20GI

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

BVDSS200V RDS(ON)170mΩ ID18A Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220CFMisolationpackageiswidelypreferredforcommercial-indust

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A-POWER
AP18N20GJ-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowv

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A-POWER
AP18N20GS

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSF

▼LowGateCharge ▼SimpleDriveRequirement ▼FastSwitchingCharacteristic ▼RoHSCompliant&Halogen-Free Description AP18N20seriesarefromAdvancedPowerinnovateddesignand siliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleon-resistance andfastswitchingperformance.Itp

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A-POWER
AP18P10GI

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=160mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
AP18T10AGH-HF

Fast Switching Characteristic

Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvo

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A-POWER
AP18T10AGJ-HF

Fast Switching Characteristic

Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvo

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A-POWER
AP1802

包装：盒 描述：USB-C PD, QUICK CHARGE 3.0 计算机设备 配件

QGeeM

QGeeM

QGeeM
AP1802GU

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：56.42 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18N20AGS-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：63.34 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18N20AGS-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：63.34 Kbytes Page：4 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

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A-POWER
AP18N20GH-HF

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：637.79 Kbytes Page：5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
AP18N20GH-HF

Fast Switching Characteristics

文件：104.9 Kbytes Page：5 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

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A-POWER
AP18N20GH-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：105.5 Kbytes Page：4 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

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A-POWER
AP18N20GH-HF_16

Fast Switching Characteristics

文件：104.9 Kbytes Page：5 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

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A-POWER
AP18N20GI

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：775.65 Kbytes Page：5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
AP18N20GI_14

Simple Drive Requirement

文件：161.7 Kbytes Page：5 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

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A-POWER
AP18N20GI-HF

Fast Switching Characteristic

文件：102.19 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18N20GJ-HF

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：468.18 Kbytes Page：5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
AP18N20GJ-HF

Fast Switching Characteristics

文件：104.9 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18N20GJ-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：105.5 Kbytes Page：4 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

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A-POWER
AP18N20GP-HF

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：596.94 Kbytes Page：5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
AP18N20GP-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：107.84 Kbytes Page：4 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

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A-POWER
AP18N20GP-HF

Fast Switching Characteristic

文件：68.13 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18N20GP-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：107.84 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18N20GS-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：107.84 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18N20GS-HF

Fast Switching Characteristic

文件：68.13 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18N20GS-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：107.84 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18N20GS-HF_16

Fast Switching Characteristic

文件：68.13 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18N50W

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：99.68 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18N50W_14

Simple Drive Requirement

文件：99.68 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18N50W-HF

Fast Switching Characteristic

文件：103.68 Kbytes Page：5 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

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A-POWER
AP18P10AGH-HF

Fast Switching Characteristic

文件：69.56 Kbytes Page：5 Pages

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AP18P10AGHJ-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：71.22 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18P10AGHJ-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：71.22 Kbytes Page：4 Pages

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AP18P10AGJ-HF

Fast Switching Characteristic

文件：69.56 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18P10GH

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：180.58 Kbytes Page：6 Pages

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A-POWER
AP18P10GH-HF

Fast Switching Characteristic

文件：74.54 Kbytes Page：5 Pages

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AP18P10GH-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：107.75 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18P10GH-HF_16

Fast Switching Characteristic

文件：74.54 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18P10GI

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：159.15 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18P10GI_14

Simple Drive Requirement

文件：104.71 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18P10GJ-HF

Fast Switching Characteristic

文件：74.54 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18P10GK-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：92.67 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18P10GK-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：92.67 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER
AP18P10GK-HF_16

Fast Switching Characteristic

文件：107.73 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18P10GM-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：99.99 Kbytes Page：4 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

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A-POWER
AP18P10GM-HF_16

Fast Switching Characteristic

文件：56.45 Kbytes Page：5 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER
AP18P10GS

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：134.79 Kbytes Page：5 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER
AP18P10GS_14

Simple Drive Requirement

文件：141.28 Kbytes Page：5 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER
AP18P10GS-HF

Fast Switching Characteristic

文件：105.55 Kbytes Page：5 Pages

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A-POWER
AP18SC

包装：散装 描述：APERTURE KIT FOR S18/M18 光学检测设备 机器视觉 - 配件

Banner Engineering Corporation

Banner Engineering Corporation

Banner Engineering Corporation
AP18SCN

M18-3 Nickel-Plated Brass 18 mm Barrel Sensors

文件：1.04816 Mbytes Page：10 Pages

BANNERBanner Engineering Corp.

邦纳电子邦纳电子（苏州）有限公司

BANNER
AP18SCN

S18-2 Plastic 18 mm Barrel Sensors

文件：1.07842 Mbytes Page：10 Pages

BANNERBanner Engineering Corp.

邦纳电子邦纳电子（苏州）有限公司

BANNER
AP18SCN

M18-4 Stainless Steel 18 mm Barrel Sensor

文件：1.07669 Mbytes Page：10 Pages

BANNERBanner Engineering Corp.

邦纳电子邦纳电子（苏州）有限公司

BANNER
AP18SRN

M18-3 Nickel-Plated Brass 18 mm Barrel Sensors

文件：1.04816 Mbytes Page：10 Pages

BANNERBanner Engineering Corp.

邦纳电子邦纳电子（苏州）有限公司

BANNER
AP18SRN

S18-2 Plastic 18 mm Barrel Sensors

文件：1.07842 Mbytes Page：10 Pages

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邦纳电子邦纳电子（苏州）有限公司

BANNER
AP18SRN

M18-4 Stainless Steel 18 mm Barrel Sensor

文件：1.07669 Mbytes Page：10 Pages

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AP18T10AGH,J-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：102.49 Kbytes Page：4 Pages

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A-POWER

AP18产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AP18

  • 制造商

    A-POWER

  • 制造商全称

    Advanced Power Electronics Corp.

  • 功能描述

    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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更新时间：2024-5-29 17:42:00
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深圳好佳好科技有限公司
AP18108A
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