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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

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RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

P-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage

文件:778.15 Kbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件:447.08 Kbytes Page:8 Pages

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC

60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件:388.2 Kbytes Page:8 Pages

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
更新时间:2024-5-30 22:58:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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R
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TO252
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RENESAS
2022
TO252
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原厂原装正品,价格超越代理
NEC-日本电气
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TO-252-3
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

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