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iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PlasticEncapsulatedDevice

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

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600V,20AN-ChannelMOSFET

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HighCurrentCapability

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更新时间:2024-5-31 10:36:01
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