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P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description The4807usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside switch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures VDS=-30V,ID=-6.0A RDS(ON)

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO4807usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4807isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4807LisaGreenPr

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

DualP-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-6A(VGS=-10V) ●RDS(ON)

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

100/1000BaseTGigabitDualPortTransformer

文件:417.25 Kbytes Page:1 Pages

ALLIED

Allied Components International

ALLIED
更新时间:2024-5-30 22:58:01
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