型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AOB412L

100VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOT412&AOB412LarefabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge&lowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchinga

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
AOB412L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

DCaxialfans

文件:375.69 Kbytes Page:3 Pages

EBMPAPST

ebm-papst

EBMPAPST

DetectableBuriedBarricadeTapes400Series

文件:53.73 Kbytes Page:2 Pages

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M

ESTABLISHEDRELIABILITYTO-5RELAYS

文件:142.57 Kbytes Page:6 Pages

WILLOW

Willow Technologies Ltd

WILLOW

DCaxialcompactfan

文件:311.38 Kbytes Page:4 Pages

EBMPAPST

ebm-papst

EBMPAPST

Replace“XX”with01through12fornumberofpoles11/16(.688)pitch

文件:597.06 Kbytes Page:3 Pages

MARATHON

Regal Beloit Corporation

MARATHON

AOB412L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOB412L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    SDMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-15 20:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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