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AML1005H5N6STS

NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain

FEATURES •TheNESG3033M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@VCE=2V,IC=15mA,f=2.0GHz •SiGeHBTtechnology(UHS3)adopted:fmax=110GHz •Thisproduct

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

AML1005H5N6STS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AML1005H5N6STS

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

更新时间:2024-5-14 18:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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0402L
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