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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
06N60E	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
CJP06N60	PowerfiledEffectTransistor FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
AIHD06N60R	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AIHD06N60RF	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
CMT06N60	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：191.5 Kbytes Page：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商

AIKD06N60RF供应商更多...

更新时间：2024-5-3 21:30:01

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深圳市金胜达微科技有限公司	CJP08N60	长电	21+	TO-220-	50000	原厂订货价格优势,可开13%的增值税票	询价

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2024-1-3
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2020-1-1
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2019-12-29