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In-SystemProgrammableHighDensityPLD

Description TheispLSI1024/883isaHigh-DensityProgrammableLogicDeviceprocessedinfullcompliancetoMIL-STD-883.Thismilitarygradedevicecontains144Registers,48UniversalI/Opins,sixDedicatedInputpins,fourDedicatedClockInputpinsandaGlobalRoutingPool(GRP). Featu

LatticeLattice Semiconductor Corporation

莱迪思半导体

Lattice

In-SystemProgrammableHighDensityPLD

Description TheispLSI1024EAisaHighDensityProgrammableLogicDevicecontaining144Registers,48UniversalI/Opins,twoDedicatedInputpins,fourDedicatedClockInputpinsandaGlobalRoutingPool(GRP). Features •HIGHDENSITYPROGRAMMABLELOGIC —4000PLDGates —48I/O

LatticeLattice Semiconductor Corporation

莱迪思半导体

Lattice

PulseTransformers

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MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MuRata

SMBATTERYHOLDERAA,ONTAPE

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

SPECIFICATION

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
更新时间:2024-4-28 15:08:01
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全新原装,绝对正品,公司现货供应。

ADM1024ARUZREEL芯片相关品牌

  • ANAREN
  • CDE
  • COMCHIP
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ADM1024ARUZREEL数据表相关新闻

  • ADL8107ACPZN

    RF放大器GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,6GHzto18GHz

    2024-2-29
  • ADM1026JST

    ADN2480ADI19+5000 ADSP-21161NKCA-100ADI19+5000 ADSP-2181KSZ-133ADI19+5000 ADSP-BF531SBST400ADI19+5000 ADUC812BSADI19+5000 ADUC841BS62-5ADI19+5000 ADUC848BSZ62-5ADI19+5000 ADV7123KSZ140ADI19+5000 ADV7125KSTZ140ADI19+5000 ADV7401BSTZ-110ADI19+5000 ADV7619KSVZAD

    2019-8-13
  • ADM1032ARMZ

    ADR435ARMZADI19+5000 ADP3333ARMZ-1.5ADI19+5000 AD5660CRM-1ADI19+5000 AD628ARMZADI19+5000 AD7694BRMZADI19+5000 AD8132ARMZADI19+5000 AD5662ARMZ-1ADI19+5000 AD8221ARMZ-R7ADI19+5000 ADP3335ARMZ-5-R7ADI19+5000 AD8611ARMZADI19+5000 AD8656ARMZ-REELADI19+5000 AD86

    2019-8-8
  • ADM1023ARQZ-REEL公司原装现货

    ADM1023ARQZ-REEL公司原装现货

    2019-3-11
  • ADM1026JST-REEL公司原装现货

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    2019-3-11
  • ADM1014-双PCI热PlugTM控制器

    ADM1014是一个双PCI电压总线控制器,允许适配卡的热插拔主动或被动的流入和流出背板。该装置只需要4个外部电源一个完整的MOSFET和几个分立元件两个PCI插槽的电源控制解决方案。ADM1014经营从+12V和+3.3V辅助电源和控制五个独立的用品,(3.3伏,3.3VAUX+5V,+12V和-12V)两个独立的通道(A和B)。+3.3VAUX,12V和-12V电源开关供应集成到芯片上,内部电流限制提供。对于+3.3V和+5V电源,设备驱动外部N沟道功率MOSFET,通过感应的电压降提供过流保护在外部电流检测电阻。所有10个电源电流限制是由单个电阻设置至GND,连接到

    2013-1-7