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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2732UT1AisP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ion batteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−20A) RDS(on)2=6.7mΩMAX.(VGS=−4.

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2024-4-29 19:03:01
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