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N-channel30V,0.0046,21APowerFLAT5x6STripFETVIDeepGATEPowerMOSFET

Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancheruggedness ■Lowgatedrivepowerlosses ■Verylowswitchinggatecharge Application ■Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthe6t

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-5-1 9:16:01
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