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70V657S12BCGI8

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V657S12BCGI8

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
更新时间:2024-5-15 19:00:00
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