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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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70V3389S4BCG | HIGH-SPEED3.3V64Kx18SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpans | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
70V3389S4BCG | 封装/外壳：256-LBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
70V3389S4BCG | HIGH-SPEED3.3V64Kx18SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM 文件：187.71 Kbytes Page：17 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  | |
70V3389S4BCG | HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM 文件：196.2 Kbytes Page：17 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | |
HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM 文件：196.2 Kbytes Page：17 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
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HIGH-SPEED3.3V64Kx18SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpans | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
64-LBGA |
5280 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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CABGA256(17x17) |
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RENESAS(瑞萨) |
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256-CABGA (17.00L X 17.00W X 1 |
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IDT |
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NA |
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专做原装正品,假一罚百! |
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向鸿仓库现货,优势绝对的原装! |
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Renesas |
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6个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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Renesas Electronics America In |
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2020-9-2
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