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N-channel200V,1.1廓,1ASOT-223lowgatechargeSTripFET??IIPowerMOSFET

ThisN-channel200VrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconverters.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Features Vos=200V Ib=10A@Ves=10V Rosion)£1.35Q@Ves=10V SOT-223package.

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟電子台舟電子股份有限公司

TECHPUBLIC

N-Channel200V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-1 9:38:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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VBSEMI/台湾微碧
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SOT-223-4 (TO-261-4)
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