3N163-E价格

参考价格:¥103.7629

型号:3N163-E3 品牌:VISHAY 备注:这里有3N163-E多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,3N163-E批发/采购报价,3N163-E行情走势销售排行榜,3N163-E报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-CHANNELENHANCEMENTMODE

FEATURES VERYHIGHINPUTIMPEDANCE HIGHGATEBREAKDOWN ULTRALOWLEAKAGE FASTSWITCHING LOWCAPACITANCE

LINEAR

凌特

LINEAR

P-ChannelEnhancementModeMOSFETGeneralPurposeAmplifierSwitch

FEATURES •VeryHighInputImpedance •HighGateBreakdown •FastSwitching •LowCapacitance

Calogic

Calogic, LLC

Calogic

P-CHANNELJFET

GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

(SINGLE,DUAL)MOSFETP-CHANNEL,ENHANCEMENT

MOS/FET/P-CHANNEL,ENHANCEMENT,SINGLE DUALMOS/FET/P-CHANNEL,ENHANCEMENT

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

anenhancementmodeP-ChannelMosfet

The3N163isanenhancementmodeP-ChannelMosfet The3N163isanenhancementmodeP-ChannelMosfetdesignedforuseasaGeneralPurposeamplifierorswitch 3N163Features: ◾VeryhighInputImpedance ◾LowCapacitance ◾HighGain ◾HighGateBreakdownVoltage ◾LowThresholdVoltage

MICROSS

MICROSS

MICROSS

3N163-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3N163-E

  • 功能描述

    MOSFET 40V 5mA 375mW

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-15 21:06:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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