3DD301A晶体管资料
3DD301A别名：3DD301A三极管、3DD301A晶体管、3DD301A晶体三极管
3DD301A生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD301A制作材料：Si-NPN
3DD301A性质：行输出 （HA）_电源用 （Reg）
3DD301A封装形式：直插封装
3DD301A极限工作电压：80V
3DD301A最大电流允许值：8A
3DD301A最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD301A引脚数：2
3DD301A最大耗散功率：50W
3DD301A放大倍数：
3DD301A图片代号：E-44
3DD301Avtest：80
3DD301Ahtest：999900
- 3DD301Aatest：8
3DD301Awtest：50
3DD301A代换 3DD301A用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A APPLICATIONS •DesignedforB/WTVverticaloutputapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A APPLICATIONS •DesignedforB/WTVverticaloutputapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=150V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ·DesignedforB/WTVverticaloutputapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
华晶 |
2022 |
TO-251 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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华晶 |
1215+ |
TO-251 |
150000 |
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应. |
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ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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isc |
2024 |
F-2 |
140 |
国产品牌isc,可替代原装 |
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华晶 |
24+ |
TO-92 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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华晶 |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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华晶 |
18+ |
TO-251 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
华晶 |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
华晶 |
TO-251 |
198589 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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HUAJING |
24+25+/26+27+ |
TO-251-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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3DD301A参数引脚图相关
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