3DD200E晶体管资料

  • 3DD200E别名:3DD200E三极管、3DD200E晶体管、3DD200E晶体三极管

  • 3DD200E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD200E制作材料:Si-NPN

  • 3DD200E性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 3DD200E封装形式:贴片封装

  • 3DD200E极限工作电压

  • 3DD200E最大电流允许值:25A

  • 3DD200E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD200E引脚数:3

  • 3DD200E最大耗散功率:200W

  • 3DD200E放大倍数

  • 3DD200E图片代号:F-13

  • 3DD200Evtest:0

  • 3DD200Ehtest:999900

  • 3DD200Eatest:25

  • 3DD200Ewtest:200

  • 3DD200E代换 3DD200E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highcollector-basebreakdownvoltage:VCBO=250V APPLICATIONS ·ForTVhorizontaloutputapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-5-14 17:50:02
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