3DD200B晶体管资料

  • 3DD200B别名:3DD200B三极管、3DD200B晶体管、3DD200B晶体三极管

  • 3DD200B生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD200B制作材料:Si-NPN

  • 3DD200B性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD200B封装形式:特殊封装

  • 3DD200B极限工作电压:25V

  • 3DD200B最大电流允许值

  • 3DD200B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD200B引脚数:3

  • 3DD200B最大耗散功率:200W

  • 3DD200B放大倍数

  • 3DD200B图片代号:F-13

  • 3DD200Bvtest:25

  • 3DD200Bhtest:999900

  • 3DD200Batest:0

  • 3DD200Bwtest:200

  • 3DD200B代换 3DD200B用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highcollector-basebreakdownvoltage:VCBO=250V APPLICATIONS ·ForTVhorizontaloutputapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-5-14 9:12:02
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