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HighpowerNPNepitaxialplanarbipolartransistor

Description ThedeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(Bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=100V ■Complementaryto2STA2510 ■Fast-switchingspeed ■Typ

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-5-17 18:06:01
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    2SK3591-01R,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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