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N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features ●Highspeedswitching ●Lowon-resistance ●Nosecondarybreakdown ●Lowdrivingpower ●Highvoltage Applications ●Switchingregulators ●UFS ●DC-DCcoverters ●Generalpurposepoweramplifier

FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features ●Highspeedswitching ●Lowon-resistance ●Nosecondarybreakdown ●Lowdrivingpower ●Highvoltage Applications ●Switchingregulators ●UFS ●DC-DCcoverters ●Generalpurposepoweramplifier

FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-1 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJITSU/富士通
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    2SK3313,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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