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2SK897-MR

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

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FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji
2SK897-MR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

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FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-1 21:09:00
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    2021-2-10
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    2SK3313,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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