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2SK3666-2-TB-E价格
参考价格:¥0.4075
型号:2SK3666-2-TB-E 品牌:ON 备注:这里有2SK3666-2-TB-E多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SK3666-2-TB-E批发/采购报价,2SK3666-2-TB-E行情走势销售排行榜,2SK3666-2-TB-E报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2SK3666-2-TB-E | Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifier,ImpedanceConverterApplications 文件:399.47 Kbytes Page:6 Pages | SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社 | ||
2SK3666-2-TB-E | N-ChannelJFET 文件:728.22 Kbytes Page:4 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |
2SK3666-2-TB-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3666-2-TB-E
- 功能描述
MOSFET SWITCHING DEVICE
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON/安森美 |
20+ |
SMD |
9000 |
原装现货 |
|||
ON |
21+ |
SOT23-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON |
2023+ |
SOT23-3 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
23+ |
N/A |
45990 |
正品授权货源可靠 |
||||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
90000 |
原装正品现货 |
|||
SANYO |
2020+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ON/安森美 |
2021+ |
SC-59-XS |
12000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
SANYO |
19+ |
SOT-23 |
59577 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
|||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
2SK3666-2-TB-E规格书下载地址
2SK3666-2-TB-E参数引脚图相关
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2SK3666-2-TB-E数据表相关新闻
2SMPP-02
优势渠道
2023-2-162SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3484-Z-E1-AZ ManufacturerPartNumber: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: NotRecommended IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP PartPackage
2021-6-242SX1-T
2SX1-T,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ:1755232575/QQ:1157611585,微信号:87680558.
2021-2-102SK508G-K51-AE3-R
属性参数值 商品目录结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C时)50mA 漏源电压(Vdss)15V 类型N沟道 最大功率耗散(Ta=25°C)200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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