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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2SK3435-Z | SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. OfficialSite:http://www.renesas.eu/products/discrete/pmosfet/gen_sw/device/2SK3435-Z.jsp | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
2SK3435-Z | MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=40A) •Lo | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
2SK3435-Z | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：401.2 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=40A) •Lo | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=14mMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mMAX.(VGS=4V,ID=40A) ●LowCiss:Ciss=3200pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | | |
N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization: | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. OfficialSite:http://www.renesas.eu/products/discrete/pmosfet/gen_sw/device/2SK3435-Z.jsp | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：333.02 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=40A) •Lo | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
2SK3435-Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3435-Z
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI |
19+ |
TO-220 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
RENESAS |
21+ |
TO-263 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
|||
R |
23+ |
TO-TO-220 |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
TO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
NEC |
2048+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
3900 |
原装优势!公司现货供应! |
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三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
RENESAS |
2020+ |
TO-263 |
32310 |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2024+实力库存 |
TO-263 |
581 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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2SK3435-Z数据表相关新闻
2SMPP-02
优势渠道
2023-2-162SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3484-Z-E1-AZ ManufacturerPartNumber: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: NotRecommended IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP PartPackage
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3105-T1B-A ManufacturerPartNumber: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas PbfreeCode: Yes RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: Obsolete IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP P
2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性参数值 商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）50mA 漏源电压（Vdss）15V 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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