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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SK3433

MOSFieldEffectTransistor

Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=41mMAX.(VGS=4V,ID=42A) ●LowCiss:Ciss=1500pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SK3433

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •LowCiss:Ciss=1500pFTYP. •Built-in

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SK3433

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •L

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SK3433

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件：1.1019 Mbytes Page：3 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
2SK3433

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：332.29 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3433-S

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •L

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •LowCiss:Ciss=1500pFTYP. •Built-in

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2SK3433-Z

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •LowCiss:Ciss=1500pFTYP. •Built-in

NECRenesas Electronics America

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •L

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2SK3433_15

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

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2SK3433-S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SK3433产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3433

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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更新时间：2024-5-10 15:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SK3433
NEC
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