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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SJ602isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=73mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−10A) RDS(on)2=107mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−10A) •Lowinputcapacitance: Ciss=

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MOSFieldEffectTransistor

Features Lowon-resistance RDS(on)1=73mΩMAX.(VGS=-10V,ID=-10A) RDS(on)2=107mΩMAX.(VGS=-4.0V,ID=-10A) LowCiss:Ciss=1300pFTYP. Built-ingateprotectiondiode

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ602isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=73mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−10A) RDS(on)2=107mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−10A) •

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ602isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=73mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−10A) RDS(on)2=107mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−10A) •

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DESCRIPTION The2SJ602isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=73mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−10A) RDS(on)2=107mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−10A) •Lowinputcapacitance: Ciss=

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2SJ602-AZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ602-AZ

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Pch -60V -20A 73m@10V TO220AB Cut Tape

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Pch -60V -20A 73m@10V TO220AB Bulk

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Pch MOSFET,60V,20A,59m ohm,TO-220AB

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

更新时间:2024-5-15 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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