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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SJ600

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SJ600isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–13A) RDS(on)2=79mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–13A) •LowCiss:Ciss=1900pFTYP. •Built-

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SJ600

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ600isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–13A) RDS(on)2=79mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–13A) •Lowin

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SJ600

MOSFieldEffectTransistor

文件：51.19 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SJ600

P-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：993.54 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
2SJ600-Z

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SJ600isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–13A) RDS(on)2=79mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–13A) •LowCiss:Ciss=1900pFTYP. •Built-

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SJ600-Z

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ600isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–13A) RDS(on)2=79mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–13A) •Lowin

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SJ600_15

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

文件：247.04 Kbytes Page：10 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SJ600-Z

P-ChannelMOSFET

文件：964.47 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SJ600-Z_15

P-ChannelMOSFET

文件：964.47 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SJ600-Z-E1-AZ

P-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：1.73379 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
2SJ600-Z-E1-AZ

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

2SJ600产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ600

  • 制造商

    KEXIN

  • 制造商全称

    Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

  • 功能描述

    MOS Field Effect Transistor

2SJ600供应商更多...

更新时间：2024-6-18 16:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市新力诚科技有限公司
2SJ600
RENESAS
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2SJ600
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2SJ600
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2SJ600(0)-Z-E1
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深圳市金华微盛电子有限公司
2SJ600-AZ
RENESAS
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TO-251
34580
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