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2SJ449

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SJ449isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance RDS(on)=0.8ΩMAX.(@VGS=–10V,ID=–3.0A) •LowCissCiss=1040pFTYP. •HighAvalancheCapabilityRatings •IsolatedTO-2

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SJ449

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SJ449isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighvoltageswitchingapplications. FEATURES LowOn-Resistance RDS(on)=0.8WMAX.(@VGS=–10V,ID=–3.0A) LowCissCiss=1040pFTYP. HighAvalanche

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

2SJ449产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ449

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

更新时间:2024-4-29 15:37:00
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