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iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=160V(Min) •HighPowerDissipation-:PC=125W(Max)@TC=25℃ •ComplementtoType2SB656 APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-7 20:17:01
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