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MediumPowerTransistor(25V,1.2A)

Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VEBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage.(Max.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=500mA/10mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2024-5-17 22:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
2020+
NA
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ROHM
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