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MediumPowerTransistor(25V,1.2A)

Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VEBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage.(Max.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=500mA/10mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

MediumPowerTransistor

■Features ●HighDCcurrentgain. ●Highemitter-basevoltage. ●Lowsaturationvoltage.

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

MEDIUMPOWERTRANSISTOR(25V,1.2V),GENERALPURPOSETRANSISTOR(50V,0.15A)

MEDIUMPOWERTRANSISTOR(25V,1.2V) GENERALPURPOSETRANSISTOR(50V,0.15A)

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MediumPowerTransistor(25V,1.2A)

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更新时间:2024-5-20 17:04:01
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