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NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORFORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2162isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrivefromtheICoutput.ThistransistorisidealformotordriversandsolenoiddriversinsuchasOAandFAequipm

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

SILICONPOWERTRANSISTOR

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RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighhFEduetoDarlingtonconnection :HFE≥2,000@(VCE=2.0V,IC=3.0A) •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)≤1.5V@(IC=3A,IB=3mA) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforlow

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SD2162M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2162M

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220VAR

更新时间:2024-5-16 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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