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NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORFORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2161isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrivefromtheICoutput.ThistransistorisidealformotordriversandsolenoiddriversinsuchasOAandFAequipm

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=100V(Min) •HighDCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@(VCE=2V,IC=2A) •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@(IC=2A,IB=2mA) APPLICATIONS •Designedforlow-frequencypoweramplifiersandlow-spee

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SILICONPOWERTRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2161isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrive fromtheICoutput.Thistransistorisidealformotordriversand solenoiddriversinsuchasOAandFAeq

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

2SD2161M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2161M

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR

更新时间:2024-5-16 17:05:02
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NEC
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