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PowerTransistor(80V,1A)

●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

EpitaxialPlanarNPNTransistors

EpitaxialPlanarNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON

POWERTRANSISTOR

FEATURES *HighVCEO=80V *HighIC=1A(DC) *GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT) *Complementsthe2SB1260.

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

Description The2SD1898isdesignedforswitchingapplications.

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS

PowerTransistor(80V,1A)

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2024-6-1 22:58:01
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ROHM
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