型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SD1758TLP

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 32V 2A CPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

Mediumpowertransistor(32V,2A)

Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

MediumPowerTransistor(32V,2A)

FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

MediumPowerTransistor

Features LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V (IC=2A,IB=0.2A). Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

Mediumpowertransistor(32V,2A)

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

Plastic-EncapsulatedTransistors

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TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL

2SD1758TLP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1758TLP

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 32V 2A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-5-14 17:44:00
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ROHM
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